| 型号： | DMN2005DLP4K-7 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | MOSFET DUAL N-CH 6-DFN |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| DMN2005DLP4K-7 PDF |  |
| 产品变化通告 | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 其它图纸 | DFN1310H4-6 Side DFN1310H4-6 Top DFN1310H4-6 Bottom |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 900mV @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 |
| 供应商设备封装 | 6-DFN1310H4（1.0x1.3） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DMN2005DLP4KDITR |